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[单选题]

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

A.突触前末梢去极化

B.Ca2+由膜内进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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第1题

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项正确:()

A.多由抑制性中间神经元返回的冲动产生

B.Cl-通道开放可降低IPSP

C.IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递

D.IPSP使神经元的兴奋性增加

E.神经元产生去极化性抑制

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第2题

关于抑制性突触后电位IPSP,下述哪项错误()

A.Cl通道开放可降低IPSP

B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生

C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化

D.IPSP使神经元的兴奋性增加

E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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第3题

抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加

A.Na+

B.K+

C.Ca2+

D.Cl-

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第4题

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()

A.突触前末梢递质释放减少

B.突触后膜发生超极化

C.突触后膜Na+电导降低

D.中间神经元受抑制

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第5题

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是

A.突触后膜Ca2+电导降低

B.突触后膜Na+电导降低

C.中间神经元受抑制

D.突触后膜发生超极化

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第6题

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是

A、突触前末梢递质释放减少

B、突触后膜Ca2+电导降低

C、突触后膜Na+电导降低

D、中间神经元受抑制

E、突触后膜发生超极化

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第7题

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第8题

抑制性突触后电位(IPSP)

抑制性突触后电位(IPSP)

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第9题

抑制性突触后电位(inhibitory postsynaptic potential,IPSP)

抑制性突触后电位(inhibitory postsynaptic potential,IPSP)

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