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[主观题]

某逻辑门的输入低电平信号范围为-3~12 V,输入高电平范围为3~12V。若该逻辑门的输入电压值为-5V、-8V、+5V、+8V,对于正逻辑约定,这些电压值各代表什么逻辑值?若是采用负逻辑约定,这些电压值各代表什么逻辑值?

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第1题

某生产设备上有水压信号A与重量信号B,当两信号同时为低电平时,检测电路输出高电平信号报警,试用逻辑门实现该报警装置。

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第2题

12、输入寄存器的锁存信号/LE1由ILE 、/CS、/WR1的逻辑组合产生。当ILE 为高电平、/CS为低电平、/WR1输入负脉冲时,在/LE1产生正脉冲;/LE1为高电平,输入锁存器的状态随数据输入线的状态变化,/LE1的负跳变将数据线上的信息锁入输入寄存器
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第3题

图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的逻辑

图P3.10中的图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的之间的逻辑关系式,并计算外接电阻R1取值的允许范围.已知图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的,74HCO3输出高电平时漏电流的最大值为图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的=5μA,低电平输出电流最大值为图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的=5.2mA,此时的输出低电平为图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的负载门每个输入端的高、低电平输入电流最大值为±1μA.要求满足图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的.

图P3.10中的 是OD输出结构的与非门74HCO3,它们接成线与结构.试写出线与输出Y与输入之间的

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第4题

在图2.6(a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导通时允许流
在图2.6(a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导通时允许流

过的最大负载电流ILM≤15mA,输出Y的高、低电平满足UOH≥3V,UOL≤0.4V与非门G1~G5的输入特性如图2.6(b)所示,输入A、B的波形如图2.6(c)所示.

(1)写出函数Y的逻辑表达式.

(2)画出输出Y与输入A、B的对应波形.

(3)计算电阻R的取值范围.

在图2.6(a)所示TTL门组成的电路中,已知OC门输出管截止时的漏电流IOH≥100μA,输出管导

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第5题

某机器字长为8位,采用双重分组先行进位方案,按2、3、3分组,并设C0为最高位进位,C外为外来进位。(1)画出进位链框图,并指出小组和大组的输入和输出信号;(2)写出每个进位的逻辑表达式及进位产生时间(门级延迟时间自定)。

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第6题

图P3.10中的G1~G5,是0D输出结构的与非门74HC03,它们接成线与结构。试写出线与输出Y与输入A1
、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2之间的逻辑关系式,并计算外接电阻R,取值的允许范围。已知VDD=5V,74HC03输出高电平时漏电流的最大值为IOH(ma)=5μA,低电平输出电流最大值为IOL(max)=5.2mA,此时的输出低电平为VOL(max)=0.33V。负载门每个输入端的高低电平输入电流最大值为±1μA。要求满足VOH≥4.4V,VOL≤0.33V。

图P3.10中的G1~G5,是0D输出结构的与非门74HC03,它们接成线与结构。试写出线与输出Y与

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第7题

试用输出低电平有效的3线-8线译码器和逻辑门设计一组合电路。该电路输入X,输出F均为3位二进制数。二者之间关

试用输出低电平有效的3线-8线译码器和逻辑门设计一组合电路。该电路输入X,输出F均为3位二进制数。二者之间关系如下:

2≤X≤5时,F=X+2

X<2时,F=1

X>5时,F=0

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第8题

题5-4-1:如下不是有比逻辑中伪NMOS逻辑的特点的是 。

A.N输入伪NMOS逻辑门的晶体管数目为N+1

B.输出低电平为GND

C.输出高电平为VDD

D.输出低电平不为GND

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