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[主观题]

PFM冠体瓷烧结起始温度过低,升温速度过慢会出现A、牙冠变形B、颜色变亮C、颜色变暗D、瓷内气泡E、透明

PFM冠体瓷烧结起始温度过低,升温速度过慢会出现

A、牙冠变形

B、颜色变亮

C、颜色变暗

D、瓷内气泡

E、透明度增加

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第1题

某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结,程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂,其原因可能是()

A.干燥、预热时间太长,瓷粉失水

B.未干燥、预热直接升温

C.烤瓷炉真空度过高

D.烧结温度过高

E.升温速率过低

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第2题

PFM烧结过程,下列说法正确的有

A.正式烧结之前应干燥5~7分钟,防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡

B.烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃~20℃

C.烧结程序结束时,应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外

D.烧结起始温度低,升温速度过慢,会延长烧结时间,易引起牙冠变形或颜色变浊

E.烧结开始时应1~230L/分钟速度排气,以低于瓷熔点100℃以下温度升温

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第3题

PFM冠牙本质瓷、切端瓷层产生气泡的原因哪一项不正确A、不透明层有气泡B、升温速度过快,抽真空速率

PFM冠牙本质瓷、切端瓷层产生气泡的原因哪一项不正确

A、不透明层有气泡

B、升温速度过快,抽真空速率过慢

C、瓷粉堆塑时混入气泡

D、烤瓷炉密封圈处有异物影响真空度

E、瓷层烧结温度过高,升温速度过慢

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第4题

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、

PFM冠上釉时的炉温是

A、与体瓷的烧结温度相同

B、低于体瓷烧结温度6~8℃

C、低于体瓷烧结温度10~20℃

D、高于体瓷烧结温度6~8℃

E、高于体瓷烧结温度10~20℃

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第5题

患者,男,45岁, 近中邻面龋,经牙体治疗后需要做PFM冠修复,PFM冠瓷层烧烤时的最好升温速度是A、40~4

患者,男,45岁, 近中邻面龋,经牙体治疗后需要做PFM冠修复,PFM冠瓷层烧烤时的最好升温速度是

A、40~45℃/min

B、45~50℃/min

C、50~55℃/min

D、55~60℃/min

E、60~65℃/min

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第6题

PFM桥瓷层烧结的升温速率最高不能超过A.5~7minB.30L/minC.40~45℃/minD.50~55℃/minE.60~70℃/min

PFM桥瓷层烧结的升温速率最高不能超过

A.5~7min

B.30L/min

C.40~45℃/min

D.50~55℃/min

E.60~70℃/min

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第7题

瓷体外形打磨调整完成后,常通过染色来调整颜色,错误的是()。

A.外染前,瓷修复体必须经过严格的打磨,调合,直到达到所需的纹理结构

B.染色是染色剂必须要经过恰当的选择,调拌均匀;描绘颜色特征时,染色剂彩度必须要比邻牙的浅一级

C.需要改变修复体色调时一般用色度较低的色彩而当形成表面特征时,如釉质裂纹和模拟牙颈部颜色等,则应用色度较高的色素

D.若烧结后颜色还有差别需要再做修改,应先去除釉层,重新染色,但应避免多次烧结

E.烧结时应注意烤瓷炉的温度,不能过高使瓷冠玻璃化,也不能过低使瓷冠釉化不全

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第8题

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基
底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物

B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物

C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形

D、禁止使用橡皮轮磨光

E、用50~100μm的氧化铝喷砂

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

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第9题

PFM冠牙本质、切端层出现一小气泡的最佳处理方法A、从基底冠开始,重新制作B、去除整个瓷面,基底冠处

PFM冠牙本质、切端层出现一小气泡的最佳处理方法

A、从基底冠开始,重新制作

B、去除整个瓷面,基底冠处理后重新上瓷

C、切瓷,清洁后重新构筑体瓷、切瓷

D、切瓷与修补瓷的混合瓷,进炉烧烤

E、增高温度,再进炉烧烤

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第10题

下列关于PFM金属基底冠的设计,说法错误的是

A.以全冠形式覆盖患牙表面,能提供足够固位

B.金属基底部分应大于0.5mm的厚度以增加其强度

C.金属基底表面形态就无锐角锐边,各轴面呈流线形

D.若牙体缺损严重,应保证基底冠厚度均匀一致,而以瓷层加厚来恢复患牙外形

E.为保证颈缘有足够强度而不致在烧结时变形,可在冠的舌邻面制备颈环

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