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[主观题]

放大器上限频率(高频特性)的存在是由于()的影响造成的。A.耦合电容B.旁路电容C.电阻D.晶体管电容

放大器上限频率(高频特性)的存在是由于()的影响造成的。

A.耦合电容

B.旁路电容

C.电阻

D.晶体管电容

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第1题

4、关于蜂窝式消声器说法正确的是

A.由于有效周长与截面积之比值P/S较大,所以蜂窝式消声器消声量也较高

B.由于尺寸很小即D大大减小,所以上限失效频率也大大提高,从而改善了高频消声特性

C.不仅消声量较大,消声频带宽也得到扩展

D.消声量通过计算一个小型直管消声器的消声量得到

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第2题

阻容藕合放大电路加入不同频率的输入信号时,高频区电压增益下降的原因是由于存在()。

A.耦合和旁路电容

B.晶体管的极间和分布电容

C.晶体管的非线性特性

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第3题

共射与共基放大器电路如上图所示, 由于共基不存在密勒电容倍增效应, 且输入电阻极小, 所以共基高频特性远优于共射。
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第4题

电路如图P5.7所示.已知:晶体管的β、rbb、Cμ均相等,所有电容的容量均相等,静态时所有电路
中晶体管的发射极电流IEQ均相等.定性分析各电路,将结论填入空内.

(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是().

(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是().

(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是().

电路如图P5.7所示.已知:晶体管的β、rbb、Cμ均相等,所有电容的容量均相等,静态时所有电路中晶

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第5题

长谈论高频电感线圈的Q值,而较少谈它的电阻,一是因为Q值表明______特性,另一因为线圈的Q值在
高频频带中大致是______。电感电抗随频率增大而增大,而由于______和介质损耗等原因,有效电阻也随频率增大而增大。

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第6题

长谈论高频电感线,圈的Q值,而较少谈它的电阻,一是因为Q值表明电路谐振特性,另一因为线圈的Q值
在高频频带中大致是______。电感电抗随频率增大而______,而由于趋表效应和介质损耗等原因,有效电阻也随频率增大而增大。

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第7题

高频小信号放大器的工作频率范围是数百KHz至数百MHz。
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第8题

高频小信号放大器的工作频率范围是数百KHz至数百MHz
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第9题

在下限频率fL与上限频率fH之间的频率范围,通常称为放大器的通频带()
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第10题

上限频率fH定义是当频率升高时, 放大器放大倍数绝对值下降到中频区的0.707倍所对应的频率, 上限频率点也称-3dB点, 或半功率点。()
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