金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1~2
金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持
A、1~2分钟
B、3~5分钟
C、5~10分钟
D、10~12分钟
E、12~15分钟
金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持
A、1~2分钟
B、3~5分钟
C、5~10分钟
D、10~12分钟
E、12~15分钟
第1题
金属烤瓷冠桥修复中,除气、预氧化的目的是
A、增强金-瓷的结合强度
B、增强基底冠的强度
C、增加基底冠的厚度
D、利于遮色瓷的涂塑
E、增强瓷冠的光泽度
第2题
金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持
A.0.5~1.0min
B.1~3min
C.5~10min
D.20~30min
E.30min以上
第3题
A.用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D.使用橡皮轮磨光金属表面
E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第4题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第5题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第6题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第7题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第8题
增强金合金瓷金结合的方法中错误的是
A.喷砂基底冠
B.预氧化
C.超声清洗
D.电解蚀刻
E.除气
第9题
金瓷结合中,不属于界面润湿性因素的是
A、金属表面不洁物质的污染
B、金属表面有害物质的污染
C、金属基底冠表面喷砂处理不当
D、金-瓷结合面除气预氧化不正确
E、环境因素的影响
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