若阶跃响应曲线呈“S”形，则必须采用二阶惯性环节来描述被控对象。（)

若二阶系统的单位阶跃响应曲线为一减幅振荡曲线，则该系统为。

A、无阻尼系统

B、临界阻尼系统

C、欠阻尼系统

A.无阻尼系统

B.临界阻尼

C.欠阻尼系统

A.虚轴正半轴

B.实正半轴

C.虚轴负半轴

D.实轴负半轴

A.若gv，则二阶系统具有两个正实部的特征根，系统的动态过程为发散正弦振荡或单调发散的形式，表明系统是不稳定的;

B.若<二0，则二阶系统具有一对纯虚根，系统的阶跃响应为等幅振荡，相当于无阻尼情况;

C.若0则二阶系统有一对具有负实部的共觇复根，相应的阶跃响应为衰减振荡过程;

D.若<二1，则二阶系统具有两个相等的负实根，相应的阶跃响应非周期地趋于稳态输出，此时系统处于临界阻尼情况;

E.若：〉1，则二阶系统具有两个不相等的负实根，相应的阶跃响应也是非周期地趋于稳态输出，但响应速度比临界阻尼情况缓慢，称为过阻尼情况。

一、二阶系统的电子模拟及阶跃响应的动态分析

一、实验目的

1．学习典型环节的电子模拟方法及在电子模拟器上建立数学模型的方法。

2．学习时域响应的测试方法，树立时域的概念。

3．明确一、二阶系统的阶跃响应及其性能域结构参数的关系。

二、实验内容

1．建立一阶系统的电子模型，观察并测量不同时间常数T的阶跃响应及性能指标调节时间t_s。

2．建立二阶系统的电子模型，观察并测量不同阻尼比ξ时的阶跃响应及性能指标调节时间t_s超调量δ%。

三、实验的原理与方法

1．一阶系统

微分方程(T_s+1)U_c-U_r

传递函数

其模拟运算电路如下图所示。

由图所示

取R₁=R₂

则K=1，T_s=R₂C

选取不同的电阻值，使T分别为0.1s、0.2s、0.5s、1s时，观测并记录阶跃响应，计算调节时间t_s。

2．二阶系统

传递函数

当ω_n=1(rad/s)时，系统的动态结构如下图(b)所示。

根据动态结构图画出模拟运算电路下图。

若取R₂C₂=1，R₃C₃=1

则为观测不同阻尼比对二阶系统的影响，可以选配不同的电阻电容值使阻尼比ξ分别为0.1、0.5、0.7、1。

观察并记录响应曲线、测量H向应性能指标调节时问t_s、超调量σ%。

四、实验设备及元器件

电子模拟器一台

超低频双线长余辉示波器一台

双线笔录仪一台(非必备设备)

直流稳压电源一台

三用表一台

元器件 电容 1μF 2.2μF 4.7μF 6.8μF 10μF

可变电阻 100kΩ 470kΩ

接插件导线接线柱鱼形夹等

A.0.6

B.0.707

C.0

D.1

A.1.2

B.0.6

C.1

D.0