关于影响材料导电性的因素,下列说法中正确的是
A.由于晶格振动加剧散射增大,金属和半导体电阻率均随温度上升而升高
B.冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律
C.“热塑性变形+退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形+淬火态”
D.一般情况下,固溶体的电阻率高于组元的电阻率
A.由于晶格振动加剧散射增大,金属和半导体电阻率均随温度上升而升高
B.冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律
C.“热塑性变形+退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形+淬火态”
D.一般情况下,固溶体的电阻率高于组元的电阻率
第3题
A.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
B.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
C.若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D.若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
E.若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
F.杂质浓度较高时,电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第4题
A、若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
B、若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
C、若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D、若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小
E、若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大
F、杂质浓度较高时,电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第6题
金属导体的电阻率随温度升高而______;半导体的导电能力随温度升高而______。
A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高
第7题
第8题
关于半导体测温元件说法正确的是______。
A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升
B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中
C.不能制作成接触型
D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
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