下列对G.652光纤叙述正确的是()。
A、G.652光纤是零色散波长在1310nm的多模光纤。
B、G.652光纤是零色散波长在1310nm的单模光纤。
C、G.652光纤是零色散波长在1550nm的多模光纤。
D、G.652光纤是零色散波长在1550nm的单模光纤。
A、G.652光纤是零色散波长在1310nm的多模光纤。
B、G.652光纤是零色散波长在1310nm的单模光纤。
C、G.652光纤是零色散波长在1550nm的多模光纤。
D、G.652光纤是零色散波长在1550nm的单模光纤。
第1题
A.G.652光纤中,在c波段,随着波长的增加,材料色散逐渐增大
B.通过消除1385 nm附近OH- 离子的损耗峰,可以制成全波光纤,用于密集波分复用
C.G.655光纤是非零色散位移光纤
D.G.652光纤工作在1550 nm波长时,损耗与色散均是通信容量的主要限制因素
第2题
A.G.652光纤中,在c波段,随着波长的增加,材料色散逐渐增大
B.通过消除1385 nm附近OH- 离子的损耗峰,可以制成全波光纤,用于密集波分复用
C.G.655光纤是非零色散位移光纤
D.G.652光纤工作在1550 nm波长时,损耗与色散均是通信容量的主要限制因素
第3题
A.G.652光纤中,在c波段,随着波长的增加,材料色散逐渐增大
B.通过消除1385 nm附近OH- 离子的损耗峰,可以制成全波光纤,用于密集波分复用
C.G.655光纤是非零色散位移光纤
D.G.652光纤工作在1550 nm波长时,损耗与色散均是通信容量的主要限制因素
第4题
A.G.652光纤中,在c波段,随着波长的增加,材料色散逐渐增大
B.通过消除1385 nm附近OH- 离子的损耗峰,可以制成全波光纤,用于密集波分复用
C.G.655光纤是非零色散位移光纤
D.G.652光纤工作在1550 nm波长时,损耗与色散均是通信容量的主要限制因素
第5题
A.12芯G.652单模光纤
B.RTS为75kN
C.截面积为95.5mm2
D.短路电流容量100kA2.s
第6题
第7题
A.G.652光纤为色散未移位光纤
B.是1550nm波长性能最佳的单模光纤
C.G.652光纤适用于1310nm和1550nm窗口工作
D.在1310nm波长工作时,理论色散值为零
E.在1550nm波长工作时,传输损耗较大,但色散系数较小
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