题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
PN结是（)形成的。
A、将P型和N型半导体掺杂
B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散
C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散
D、多数载流子与少数载流子相互扩散
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A、发散
B、节流
C、扩散
D、蒸发
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第6题
关于PN结下列说法正确的是：()。
关于PN结下列说法正确的是：（)。
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A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
第10题
图3－10（a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区
图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深
xj=△k(λ/2)．
由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深xj没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：
