题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
关于场效应管下面说法正确的是（)。
A.是一种半导体三极管
B.是利用电场效应来控制其电流大小
C.其输入阻抗极高
D.便于集成
E.其输入阻抗低
F.不便于集成
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A.场效应管也是三极管
B.三极管又叫做双极型晶体管
C.三极管分为NPN型三极管和PNP型三极管两种类型
D.三极管是一种电流控制型元器件
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第3题
下面关于二极管、三极管、MOS和CMOS说法正确的有
A.二极管和三极管都是由P型和N型半导体构成，在P型半导体上引出的电极为阴极，在N型半导体上引出的电极为阳极，具有单向导电特性。
B.三极管的三个电极分别是：基极b、发射极e和集电极c
C.MOS管的三个电极分别是：栅极G、源极S、漏极D
D.MOS（金属氧化物半导体场效应管）分为PMOS和NMOS，而两者的互补结合起来就是CMOS,能让功耗更低。
第4题
下面关于二极管、三极管、MOS和CMOS说法正确的有（）
A.二极管和三极管都是由P型和N型半导体构成，在P型半导体上引出的电极为阴极，在N型半导体上引出的电极为阳极，具有单向导电特性。
B.三极管的三个电极分别是：基极b、发射极e和集电极c
C.MOS管的三个电极分别是：栅极G、源极S、漏极D
D.MOS（金属氧化物半导体场效应管）分为PMOS和NMOS，而两者的互补结合起来就是CMOS,能让功耗更低。
第5题
下面关于场效应管的一些重要的参数，描述正确的是（）。
A.开启电压UGS(th)是增强型MOS管的重要参数。
B.夹断电压 UGS(off)是结型场效应管和所有MOS管的重要参数。
C.跨导 gm = △iD / △uGS | uDS = 预夹断后某些常数，是所有FET的重要参数。
D.直流输入电阻 RGS 是栅源间的直流等效电阻。MOS管输入电阻远大于结型场效应管的输入电阻，结型场效应管的输入电阻大于三极管的输入电阻。
第6题
下面关于场效应管的一些重要的参数，描述正确的是
A.开启电压UGS(th)是增强型MOS管的重要参数。
B.夹断电压 UGS(off)是结型场效应管和所有MOS管的重要参数。
C.跨导 gm = △iD / △uGS | uDS = 预夹断后某些常数，是所有FET的重要参数。
D.直流输入电阻 RGS 是栅源间的直流等效电阻。MOS管输入电阻远大于结型场效应管的输入电阻，结型场效应管的输入电阻大于三极管的输入电阻。
第7题
1、下面说法正确的有：
A.场效应管小信号模型的参数与静态工作点无关；
B.场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是幅度较小的交流量；
C.场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是静态工作点的电流和电压；
D.小信号模型法是将放大电路转化为非线性电路来处理。
E.小信号模型法是将放大电路转化为线性电路来处理。
第8题
下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
第9题
下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
第10题
关于场效应管外加电压与导电沟道的说法正确的是 。
A.uGS可以使导电沟道呈等宽状
B.uGS可以使导电沟道呈楔形状
C.uDS可以使导电沟道呈等宽状
D.uDS可以使导电沟道呈楔形状
