(西安电子科技大学2010年考研试题)如图8一11所示电路,4A电流源产生功率等于()。 A.-16WB.
(西安电子科技大学2010年考研试题)如图8一11所示电路,4A电流源产生功率等于()。
A.-16W
B.16W
C.4W
D.-4W
(西安电子科技大学2010年考研试题)如图8一11所示电路,4A电流源产生功率等于()。
A.-16W
B.16W
C.4W
D.-4W
第1题
(西安电子科技大学2010年考研试题)如图9—28所示正弦稳态电路,已知ω=10rad/s,U=100V,U与I同相,电路吸收的平均功率为400W,求:(1)阻抗Z;(2)判断Z由什么元件组成,求元件参数。
第2题
(西安建筑科技大学2010年考研试题)如图2—56所示,管路上安装一U形测压管,测得h1=30cm,h2=60cm,已知y为油(γ油=8.354kN/m3),γ1为水银,求A点的相对压强,绝对压强。
第3题
(西安电子科技大学2009年考研试题)如图4一46所示电阻电路,已知二端口电路N吸收的功率为2W,求电压u。
第4题
(西安电子科技大学2009年考研试题)如图14—31所示电路,N0为无源电路,若电路的某响应为
。试绘出电路可能的结构,求出元件参数和激励源函数。
第5题
(西安建筑科技大学2009年考研试题)平面势流的速度势φ=x3一3xy2,求相应的流函数。
第6题
(西安建筑科技大学2008年考研试题)写出理想元流的伯努利方程,并说明其物理意义和适用条件。
第7题
(西安建筑科技大学2009年考研试题)防浪堤模型实验,长度比尺为40,测得浪压力为1 30N,求作用在原型防浪堤上的浪压力。
第8题
(西安建筑科技大学2008年考研试题)梯形断面渠道,边坡系数m=1.5,底坡i=0.0005,粗糙系数n=0.025,设计流量Q=1.5m3/s。按水力最优条件设计渠道断面的尺寸。
第9题
(西安建筑科技大学2009年考研试题)一圆筒静止时盛水深度H=0.225m,筒深度为0.3m,内径D=0.1m,若把圆筒绕中心轴作等角速度旋转,求不使水溢出的最大角速度。
第10题
(西安建筑科技大学2009年考研试题)如图2—58所示,有一直径d=12cm的圆柱体,其质量m=5kg,在力F=100N的作用下,当淹没深度h=0.5m时,处于静止状态,求测压管中水柱的高度H。
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