绝缘栅双极晶体管(IGBT)综合了()的优点，因而具有良好的()特性。

A．高输入阻抗

B．高速特性

C．大电流密度

D．所需驱动功率小

E．驱动电路简单

A、GTM

B、GTN

C、GTO

D、GTR

A.晶闸管

B.单结晶体管

C.电力场效应管

D.电力晶体管和电力场效应管

A.绝缘栅场效应管

B.结型场效应管

C.绝缘栅双极晶体管

D.双极型功率晶体管

A.栅极端和发射极端

B.栅极端和集电极端

C.集电极端和发射极端

D.以上均不对

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A.MOSFET功率场效应管

B.IGBT绝缘栅双极晶体管

C.GTR晶闸管

D.BJT双极型晶体管

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。