题目内容
（请给出正确答案）
[判断题]
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。（)
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A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
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第2题
题2-2-3、 下列说法正确的是（）。
A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
第3题
题2-2-3、 下列说法正确的是（）。
A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
第9题
下列关于MOS器件说法不正确的有（）
A.MOS器件具有高输入阻抗
B.MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源
C.NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD
D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）
第10题
下列关于MOS器件说法不正确的有
A.MOS器件具有高输入阻抗
B.MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源
C.NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD
D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）
