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[主观题]

当波长为3000 Å的光照射在某金属表面时,光电子的能量范围从0到4.0×10^-19J.在作上述光电效应实验时遏止电压为 |Ua| =____________V;此金属的红限频率v0 =__________________Hz. (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s;基本电荷e =1.60×10-19 C)

当波长为3000 Å的光照射在某金属表面时,光电子的能量范围从0到4.0×10^-19J.在作上述光电效应实验时遏止电压为 |Ua| =____________V;此金属的红限频率v0 =__________________Hz. (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s;基本电荷e =1.60×10-19 C)

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第1题

波长为300nm的光照射在某金属表面时,光电子的最大动能为4.0X10^-19J,那么,此金属的遏止电势差U0=(),截止频率v0=()。
波长为300nm的光照射在某金属表面时,光电子的最大动能为4.0X10^-19J,那么,此金属的遏止电势差U0=(),截止频率v0=()。

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第2题

已知铯的红限频率ν0=4.6×1014Hz,则铯的红限波长为______;当波长为5×10-7m的光照射在铯上时,铯所放出的光电

已知铯的红限频率ν0=4.6×1014Hz,则铯的红限波长为______;当波长为5×10-7m的光照射在铯上时,铯所放出的光电子的最大初动能是______。

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第3题

用波长为0.83μm,强度为3mW的光照射在硅光电池,设其反射系数为15%,量子效率为1,并设全部光生载流子能到达电极。 (1)求光生电流; (2)当反向饱和电流为10-8A时,求T=300K时的开路电压。
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第4题

假设一个PIN光电二极管的I层(Si)宽度为20mm。P层非常的薄(0.1mm)。外加在PIN光电二极管的反向偏置电压为100V,当波长为900nm的光照射在上面时,光电流的持续时间为秒。(假设光子在I层全部被吸收)

A.4E-7

B.8.08 E-7

C.2E-10

D.8E-7

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第5题

假设一个PIN光电二极管的I层(Si)宽度为20mm。P层非常的薄(0.1mm)。外加在PIN光电二极管的反向偏置电压为100V,当波长为900nm的光照射在上面时,光电流的持续时间为秒。(假设光子在I层全部被吸收)

A.4E-7

B.8.08 E-7

C.2E-10

D.8E-7

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第6题

假设一个PIN光电二极管的I层(Si)宽度为20mm。P层非常的薄(0.1mm)。外加在PIN光电二极管的反向偏置电压为100V,当波长为900nm的光照射在上面时,光电流的持续时间为秒。(假设光子在I层全部被吸收)

A.4E-7

B.8.08 E-7

C.2E-10

D.8E-7

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