题目内容
（请给出正确答案）
[判断题]
影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。（)
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A、100μm左右
B、10cm左右
C、10mm左右
D、1mm左右
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第3题
2. 过冷度对熔体析晶过程中晶粒尺寸大小的影响是
A.过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒尺寸越大
B.过冷度控制在晶体生长速率较小处，则晶粒尺寸越大
C.过冷度控制在成核速率较小处，则晶粒尺寸越小
D.过冷度控制在晶体生长速率较大处，则晶粒尺寸越大
第5题
1.过冷度对熔体析晶过程中晶粒数目多少的影响是
A.过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒数目越多
B.过冷度控制在成核速率较小处，则晶粒数目越多
C.过冷度控制在成核速率较大处，则晶粒数目越少
D.过冷度控制在晶体生长速率较大处，则晶粒数目越多
第9题
熔体析晶时，其晶粒尺寸与成核速率（I）和晶体生长速率（U）有关，下列说法正确的是
A.I越大，晶粒尺寸越大
B.I越小，晶粒尺寸越大
C.U越小，晶粒尺寸越大
D.U越大，晶粒尺寸越大
第10题
4、熔体析晶时，其晶粒尺寸与成核速率（I）和晶体生长速率（U）有关，下列说法正确的是
A.I越大，晶粒尺寸越大
B.I越小，晶粒尺寸越大
C.U越小，晶粒尺寸越大
D.U越大，晶粒尺寸越大
