题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
在题3.4．3图（a)所示的电路中，μ为一阶跃电压，如题3．4．3图（b)所示，试求i3和uc。设μc（O_)＝1V
在题3.4．3图(a)所示的电路中，μ为一阶跃电压，如题3．4．3图(b)所示，试求i3和uc。设μc(O_)＝1V。
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图题3.4.3所示为2输入端BiCMOS与非门电路，试分析该电路是怎样实现与非逻辑关系(
)的。
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第1题
图题3.4.3所示为2输入端BiCMOS与非门电路，试分析该电路是怎样实现与非逻辑关系（)的。
第2题
电路如图题3.4.6所示，设运放是理想的，二极管的导通压降为0.7V。(1)试证明，即该电路为绝对值运算
电路如图题3.4.6所示，设运放是理想的，二极管的导通压降为0.7V。（1)试证明，即该电路为绝对值运算
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电路。
(2)vN是振幅为2V的正弦波时，绘出vN和v0的波形，并标出幅值。(3)vN为正弦波时，v0的波形与图题3.4.3的vL波形相同，但与图题3.4.3电路相比，本题电路有什么优缺点？
第3题
在图P3.13电路中，试求Rp为51Ω、1.5kΩ、100kΩ和∞（输入端悬空)时υ1和υ0的数值。已知电源
在图P3.13电路中，试求Rp为51Ω、1.5kΩ、100kΩ和∞(输入端悬空)时υ1和υ0的数值。已知电源电压Vcc=5V，反相器SN7404的电路结构图如图3.4.1，它的电压传输特性如图3.4.3所示。
第5题
电路如图题3.4.3所示。（1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和vo=Vo=？（VD=0.7V)；（2)在室温（300K)的情况下，利
电路如图题3.4.3所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和vo=Vo=？(VD=0.7V)；(2)在室温(300K)的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
第6题
电路如图题3.4.3 所示。（1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和的Uo=V。=？ （VD=0.7V); （2)在室
电路如图题3.4.3 所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和的Uo=V。=？ (VD=0.7V); (2)在室温(300K)情况下，利用二极管的小信号模型求U0的变化范围。
第9题
图题6-27所示电路中,1V电压源在t=0时作用于电路,已知,t≥0.问若电源为2V,iL（t)是多少？
图题6-27所示电路中,1V电压源在t=0时作用于电路,已知
,t≥0.问若电源为2V,iL(t)是多少？
