氟化镧晶体膜离子选择性电极膜电位的产生是由于氟离子______。

A.在晶体表面进行离子交换和扩散形成双电层

B.在晶体膜表面氧化而传递电子

C.进入晶体膜表面的品格缺陷形成双电层

D.进入晶体膜使膜内外氟离子产生浓度差形成双电层

A.在晶体膜表面氧化而传递电子；

B.在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层结构；

C.穿透晶体膜使膜内外氟离子产生浓度差形成双电层结构；

D.进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层结构。

A.氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子

B.氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构

C.氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构

D.氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构

A.氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子

B.氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构

C.氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构

D.氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构

A.氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构

B.氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子

C.氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构

D.氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构

A.氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子

B.氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构

C.氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构

D.氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构

A.溶液中的氢氧根与氟化镧晶体膜中的氟离子进行交换。

B.溶液中的氢氧根吸附在氟化镧晶体膜表面。

C.氟化镧晶体很快溶解于待测溶液中。

D.氟化镧晶体膜表面产生一层氧化物。

A.溶液中的氢氧根与氟化镧晶体膜中的氟离子进行交换。

B.溶液中的氢氧根吸附在氟化镧晶体膜表面。

C.氟化镧晶体很快溶解于待测溶液中。

D.氟化镧晶体膜表面产生一层氧化物。