制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一

制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使它成为劈尖，利用等厚干涉条纹测出其厚度．已知Si的折射率为3．42，SiO2的折射率为1．5．用氦氖激光(λ=632．8nm)垂直照射，在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹，求SiO2薄膜的厚度．

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第1题

制造半导体元件时，常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使其形成

劈尖，利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42，SiO₂的折射率为1.5，入射光的波长为589.3nm，观察到7条暗纹(图21-13)。问SiO₂薄膜的厚度e是多少？

制造半导体元件时，常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使其形

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第2题

如附图所示，制造半导体元件时，常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜

的一部分腐蚀掉，使其形成劈尖，利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42，siO2的折射率为1.5，入射光波长为589.3nm，观察到7条暗纹。问SiO2薄膜的厚度h是多少？

如附图所示，制造半导体元件时，常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐

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第3题

利用半导体制作工艺，将器件和电路中的元件制作在一片硅片上，构成特定功能的电子电路，称为集成

电路。()

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第4题

图3－10（a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区

图3-10(a)所示为一种测pn结结深x_j的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)x_j叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深

x_j=△k(λ/2)．

由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深x_j没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：

图3－10（a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导