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[单选题]

根据晶体成核即晶体生长方式的不同可将助熔剂生长宝石的方法分为()和仔晶生长法两类

A.自发成核法

B.仔晶生长法

C.晶体提拉法

D.粉末生长法

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第1题

根据晶体成核即晶体生长方式的不同可将助熔剂生长宝石的方法分为自发成核法和仔晶生长法两类。()
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第2题

当熔体从Tm冷却时,ΔT增大,成核和晶体生长的驱动力增大。
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第3题

一次成核又分为()和()。

A.晶体形成

B.均相成核

C.非均相成核

D.晶体生长

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第4题

当熔体从Tm冷却时,黏度随之减小,成核和晶体生长的阻力减小。
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第5题

结晶过程包括()两个阶段。

A.静置

B.晶体颗粒变大

C.成核

D.晶体生长

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第6题

熔体的冷却析晶相变,主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现,成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关,只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比,成核速率曲线的峰值一般位于()。

A.较大过冷度⊿T 处

B.较小过冷度⊿T 处

C.同一过冷度⊿T 处

D.不能确定

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第7题

在熔体析晶的过程中,为获得尺寸、数量合适的晶粒,需严格控制过冷度,为获得尺寸大而数量少的晶粒,在控制过冷度时,需使析晶温度控制在()。

A.晶体生长速率较大而成核速率相对较小处

B.成核速率较小且晶体生长速率较小处

C.晶体生长速率较小而成核速率较大处

D.成核速率较大且晶体生长速率较大处

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第8题

2. 过冷度对熔体析晶过程中晶粒尺寸大小的影响是()

A.过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒尺寸越大

B.过冷度控制在晶体生长速率较小处,则晶粒尺寸越大

C.过冷度控制在成核速率较小处,则晶粒尺寸越小

D.过冷度控制在晶体生长速率较大处,则晶粒尺寸越大

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第9题

熔体析晶时,其晶粒尺寸与成核速率(I)和晶体生长速率(U)有关,下列说法正确的是()。

A.I越大,晶粒尺寸越大

B.I越小,晶粒尺寸越大

C.U越小,晶粒尺寸越大

D.U越大,晶粒尺寸越大

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