B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。”相关的问题
第1题
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
第2题
A.反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系
B.反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系
C.仅适用于非简并半导体
D.适用于所有的半导体
E.反映了平衡子载流子运动与非平衡载流子运动之间的关系
F.反映了扩散长度与扩散系数之间的关系
第3题
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
第7题
A、非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间
B、非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
C、非平衡少数载流子复合所需要的平均时间
D、以上都不对
第8题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第10题
用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
微信搜一搜
赏学吧
微信搜一搜
赏学吧
