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[单选题]

快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜()

A.对Na+通透性增大

B.对K+通透性降低

C.对Cl-通透性增大

D.对K+通透性增大

E.对Ca2+通透性增大

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第1题

抑制性突触后电位的特征是突触前膜释放______递质,抑制性突触后电位产生的离子基础主要是突触后膜对______
离子的通透性增加。
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第2题

抑制性突触后电位主要是由于突触后膜对下列哪种离子通透性提高( )

A.Na+

B.Ca2+

C.K+

D.Cl-

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第3题

除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()

A.突触后膜膜内电位升高

B.Ca2+由膜外进入突触前膜内

C.突触后膜对Cl-通透性升高

D.突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

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第4题

抑制性突触后电位的产生机制是()A.突触后膜对Na+通透性增大B.突触后膜对Ca2+、K+通透

抑制性突触后电位的产生机制是()

A.突触后膜对Na+通透性增大

B.突触后膜对Ca2+、K+通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜超极化

E.突触后膜复极化

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第5题

IPSP 的产生主要是由于突触后膜对 ______ 的通透性增加,从而导致突触后膜出现 _______

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第6题

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。

A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

E.以上都不是

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第7题

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括

A、兴奋性突触后电位和局部电位

B、抑制性突触后电位和局部电位

C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

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