题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜()
A.对Na+通透性增大
B.对K+通透性降低
C.对Cl-通透性增大
D.对K+通透性增大
E.对Ca2+通透性增大
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A.对Na+通透性增大
B.对K+通透性降低
C.对Cl-通透性增大
D.对K+通透性增大
E.对Ca2+通透性增大
第4题
抑制性突触后电位的产生机制是()
A.突触后膜对Na+通透性增大
B.突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜超极化
E.突触后膜复极化
第6题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
第7题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
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