题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
慢抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜（）
A.对Na+通透性增大
B.对K+通透性降低
C.对Cl-通透性增大
D.对K+通透性增大
E.对Ca2+通透性增大
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A.钠离子内流
B.氯离子内流
C.钙离子内流
D.钾离子外流
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第8题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（)的通透性增加所致。A.Na+、Cl-、K+，尤其是K+B.Ca2+K+、Cl-
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。
A.Na+、Cl-、K+，尤其是K+
B.Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+
C.Na+、K+，尤其是Na+
D.K+、Cl-，尤其是C1-
E.K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-
第9题
抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致？A．K+、Cl-，尤其是Cl-B．Ca2+、K
抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致？
A．K+、Cl-，尤其是Cl-
B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+、K+，尤其是Na+
D．Na+、Cl-、K+，尤其是K+
