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[单选题]

慢兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜()

A.对Na+通透性增大

B.对K+通透性降低

C.对Cl-通透性增大

D.对K+通透性增大

E.对Ca2+通透性增大

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第1题

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。A.Ca2+B.Cl-C.K+D.Na+和K+,尤其是Na+E.

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。

A.Ca2+

B.Cl-

C.K+

D.Na+和K+,尤其是Na+

E.Cl-和K+,尤其是Cl-

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第2题

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第3题

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。

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第4题

兴奋性突触后电位是指突触前膜释放______递质,使突触后膜产生的局部______电位。
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第5题

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?A.B.C.D.

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?

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第6题

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?A.Ca2+B.C1C.K+D.Na+和K+,

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?

A.Ca2+

B.C1

C.K+

D.Na+和K+,尤其是Na+

E.Cl-和K+,尤其是Cl-

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第7题

兴奋性突触后电位的产生,是由于下列哪种离子在突触后膜的通透性增高A.Ca2+B.Cl-和K+,尤其是Cl-C.

兴奋性突触后电位的产生,是由于下列哪种离子在突触后膜的通透性增高

A.Ca2+

B.Cl-和K+,尤其是Cl-

C.Na+和K+,尤其是Na+

D.K+

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第8题

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了何种离子的通透性()A.K+、Na+、Cl-,尤其是K+B.K+、Na+

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了何种离子的通透性()

A.K+、Na+、Cl-,尤其是K+

B.K+、Na+、Cl-,尤其是C1-

C.K+、Na+、C1-,尤其是Na+

D.K+、C1-,尤其是C1-

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