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目前主要的半导体衬底材料有 、 SOI 和 材料

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第1题

7、目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术
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第2题

LED芯片一般采用蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)等半导体材料,其中SiC可作为V型接触的芯片衬底。()
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第3题

按照光分路器的原理,在半导体硅材料衬底上用光刻方法制成的分路器称为()
按照光分路器的原理,在半导体硅材料衬底上用光刻方法制成的分路器称为()

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第4题

n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体,在工作时通常源端接___。

A.n型,电源电压

B.n型,地

C.p型,电源电压

D.p型,地

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第5题

下面哪些说法是正确的⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低

A.⑴⑵

B.⑵⑷

C.⑴⑵⑷

D.⑴⑵⑶⑷

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第6题

电池作为一种可移动电源,在生活中应用十分广泛。常见的电池有干电池、锂电池、太阳能电池等。目前,硅是制作太阳能电池的主要材料之一,硅是一种()

A.导体

B.绝缘体

C.半导体

D.超导体

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第7题

应变片有金属电阻丝应变片(金属丝粘贴在衬底上组成的元件)和半导体应变片两类()
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第8题

目前主流的LED衬底材料包括____

A.蓝宝石

B.硅

C.碳化硅

D.铝

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第9题

目前半导体材料主要有哪几类?哪种材料应用最多?它有什么主要特性?

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第10题

在适当次序的时钟控制下,能够使电荷量有控制地穿过半导体的衬底而实现电荷的转换的器件是()。

A.霍尔元件

B.CCD

C.光敏电阻

D.热电阻

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