掺有1.1X10¹⁶硼原子cm^-3和9X10¹⁵磷原子cm^-3的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。

分别计算掺有下列杂质的Si,在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率:

①硼原子3X10¹⁵cm^-3;

②硼原子1.3X10¹⁵cm^-3+磷原子1.0X10¹⁶cm^-3:

③磷原子1.3X10¹⁵cm^-3+硼原子1.0X10¹⁶cm^-3:

④磷原子3X10¹⁵cm^-3+镓原子1X10¹⁷cm^-3+砷原子1X10¹⁷cm^-3。

A.自由电子

B.空穴

C.磷原子

D.硼原子

室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁵个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/(V·s)，μ_p=1700cm²/(V·s)且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm^-3。

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为N_a1=10¹⁶/cm³，硼的电离能为E_a1-E_v=0.045eV，铟的电离能为E_a2-E_v=0.16eV，试求样品中铟的浓度N_a2[室温下为N_v=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/(V·s)]。

一块硅片掺磷浓度为10¹⁵cm^-3．求室温下(300K)的载流子浓度和费米能级．

A.多数载流子

B.少数载流子

C.多数载流子和少数载流子

A、多数载流子

B、少数载流子

C、既有多数载流子，也有少数载流子