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[主观题]

兴奋性突触后电位的形成是因为()。A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B.突触后膜对Cl-通透

兴奋性突触后电位的形成是因为()。

A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化

B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化

C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化

D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化

E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

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第1题

兴奋性突触后电位的形成是因为()

A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化

B.突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化

C.突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化

D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化

E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

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第2题

成年人的中枢神经纤维损伤后不能再生是因为A.施万细胞不能形成新的髓鞘B.少突胶质细胞不能形成新

成年人的中枢神经纤维损伤后不能再生是因为

A.施万细胞不能形成新的髓鞘

B.少突胶质细胞不能形成新的髓鞘

C.星形胶质细胞不能形成新的髓鞘

D.横断或损伤的轴索不能再生

E.血脑屏障阻碍了营养供应

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第3题

对兴奋性突触后电位的叙述,错误的是A.突触前神经元释放兴奋性递质B.突触后膜产生除极化变化C.突

对兴奋性突触后电位的叙述,错误的是

A.突触前神经元释放兴奋性递质

B.突触后膜产生除极化变化

C.突触后膜对Ca2+通透性增加

D.主要使突触后膜Na+内流

E.兴奋只能由前膜向后膜传递

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第4题

侧支根管的形成是因为A.成牙本质细胞变性坏死B.上皮隔形成的孔太多C.上皮根鞘未向根尖方向生长D.

侧支根管的形成是因为

A.成牙本质细胞变性坏死

B.上皮隔形成的孔太多

C.上皮根鞘未向根尖方向生长

D.上皮根鞘未断裂,离开牙根表面形成马拉瑟上皮剩余

E.上皮根鞘发育不全,连续性破坏,上皮隔舌状突融合不全

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第5题

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生()。 A.工作电位B.诱发电位C.兴奋性突触

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生()。

A.工作电位

B.诱发电位

C.兴奋性突触后电位

D.抑制性突触后电位

E.突触后电位同步总和

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第6题

花瓣不规则条纹和斑点的出现常常是因为控制色素形成的基因从等位基因的一种形式频繁的突变为另一种形式()
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第7题

花瓣不规则条纹和斑点的出现常常是因为控制色素形成的基因从等位基因的一种形式频繁的突变为另一种形式
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第8题

花瓣不规则条纹和斑点的出现常常是因为控制色素形成的基因从等位基因的一种形式频繁的突变为另一种形式
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第9题

花瓣不规则条纹和斑点的出现常常是因为控制色素形成的基因从等位基因的一种形式频繁的突变为另一种形式
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第10题

突触传递经常会诱发兴奋性突触后电位(EPSPI),以下哪种情况可能诱发EPSP:()。

A.谷氨酸神经递质释放

B.突数后膜Ca2+内流

C.乙酰胆碱结合烟碱型受体

D.甘氨酸神经递质释放

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