图8-58所示场效应管放大电路，已知gm=3mA/V。 (1)画出微变等效电路; (2)计算

共源极放大电路如下图所示，已知场效应管g_m=1.2mS，画出该电路交流通路和交流小信号等效电路，求A_u、R_i、R_o。

下图所示的放大电路中，已知g_m=1mS。画出其微变等效电路，并计算A_u，R_i和R_o的值。

在图9.15所示放大电路中，已知R_C=2kΩ，R_E=2kΩ，硅晶体管的β=30，r_be=1kΩ，试画出该放大电路的微变等效电路，推导出由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数，求出U_i=1mV时的U_o1和U_o2。

两级放大电路如题2-32图所示。已知β₁=β₂=50，r_be1=r_be2=1.3kΩ。(1)VT₁和VT₂各组成什么电路组态？(2)画出中频区的H参数微变等效电路；(3)计算放大器的输入电阻R_i和输出电阻R_o；(4)计算中频区电压放大倍数

在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求

电路如图3.8(a)所示，已知β₁＝β₂＝50，r_be1＝r_be2＝1kΩ。

求：(1) 画出微变等效电路；(2) 电压放大倍数A_u，输入、输出电阻r_i，r_o；

(3) T₁的静态工作点。

两级放大电路如下图所示，已知场效应管V的g_m=1ms，晶体管VT的β=99，r_be=2kΩ，电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解A_u、R_i和R₀.

图P2.21

场效应管放大电路如图3-2所示，已知电源电压等于5V，场效应管开启电压为2V，

(1)说明该放大器偏置电路如何稳定静态工作点？

(2)这种偏置电路是否适用于耗尽型场效应管放大电路？为什么？

(3)设ID=1 mA，求的值。

单管共射放大电路如题7.2图所示，己知三极管的电流放大倍数β=50。

(1) 估算电路的静态工作点：

(2) 计算三极管的输入电阻rbe;

(3) 画出微变等效电路，计算电压放大倍数：

(4) 计算电路的输入电阻和输出电阻。

‍放大器如图8所示,已知Ucc=12V,Rb=300kΩ,Rc=4kΩ,β=40,试求（1）画出直流电路通路并求

静态工作点：（2）画出微变等效电路：（3）计算输入电阻r1,和输出电阻r0；（4）电压放大倍数Au