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[主观题]

试根据半导体的禁带宽度解释半导体的光敏效应,并简述其应用。

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第1题

分别举出半导体热敏效应、光敏效应、压力敏感效应的应用例子,并加以说明。
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第2题

异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第3题

半导体与绝缘体有十分类似的能带机构,只是半导体的禁带宽度要窄得多。()
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第4题

与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是()。

A.满带与导带重合

B.禁带宽度较宽

C.禁带宽度较窄

D.以上都是错的

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第5题

通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。()
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第6题

一个p型半导体,受主密度NA=1.04×1016/cm3,该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV,电子亲和势χ=3.4eV,在室温下测得它

一个p型半导体,受主密度NA=1.04×1016/cm3,该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV,电子亲和势χ=3.4eV,在室温下测得它的功函数W=3.9eV,求此时这块半导体的表面势VS=?设室温下价带有效状态密度Nv=1.04×1019/cm3

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第7题

试举出三个半导体材料应用的例子并加以说明。
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第8题

若半导体材料的禁带宽度为Eg,要产生光电效应,必须符合()
若半导体材料的禁带宽度为Eg,要产生光电效应,必须符合()

A.hfhf>Eg

B.hf=Eg

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第9题

关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述,正确的是?()

A.半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带

B.半导体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

C.半导体是:上面是一个半满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带;绝缘体是:上面是一个满带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

D.半导体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较宽的禁带;绝缘体是:上面是一个空带,下面是一个满带,中间隔着较窄的禁带

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第10题

半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第11题

从能带理论解释半导体材料的导电性,并说明其与导体和半导体的不同点。

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