题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于半导体器件，以下描述错误的是（）
A.二极管特性是正向导通，反向截至
B.三极管工作区域有截止区、放大区、饱和区
C.MOS管为电流控制元件
D.MOS管广泛应用在数字电路中
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A.是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件；
B.以电荷作为信号；
C.基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移；
D.构成CCD的基本单元是CMOS电容器；
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第2题
以下关于变频器的工作原理描述不正确的是()。
A.将电压固定的交流电变成电压可调的交流电源
B.将电压可调的交流电变成电压固定的交流电源
C.通过整流器转换电源
D.利用电力半导体器件工作
第3题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第5题
关于电力电子技术和信息电子技术说法错误的是（)。
A.半导体器件制造技术理论基础一样
B.许多分析方法一致
C.在信息电子技术中，半导体器件可工作于放大区，也可工作于开关状态
D.在电力电子技术中，半导体器件工作于放大区
第6题
8086CPU中，关于存储器的叙述，错误的是（)。
A.当前正在执行的指令应放在内存中
B.一次读写操作仅能访问一个存储器单元
C.内存储器由半导体器件构成
D.字节是内存的基本编址单位
第7题
以下关于TCL中环半导体描述错误的是（）
A.光伏单晶硅片出货量全球第一，是全球最大的高效单晶硅片生产商
B.高效N型光伏单晶硅片制造量和出货量全球第一
C.区熔单晶硅片销量位列全国第一
D.半导体硅片出货量全球第一
第8题
以下关于半导体测序技术的描述错误的是（)。
A.半导体测序技术又叫做个人基因组测序平台
B.半导体测序技术为非光学测序技术
C.半导体测序技术检测的是DNA复制过程中碱基参入时所释放的H离子
D.半导体测序技术检测的是DNA复制过程中碱基参入时所释放的焦磷酸
第9题
5、下列对CPU的发展历程描述，错误的是
A.早期的CPU是由电子管器件组成，体积庞大、功耗高，属于非微处理器
B.CPU的发展历程经历了单核时代到多核时代，采用的半导体工艺制程也越来越小
C.目前的CPU, 以多核、多线程处理器为主流
D.指令流水线技术首次是在INTEL酷睿系列处理器中才开始采用；
第10题
下列关于内存和外存的叙述，错误的是（）
A.断电后存放在外存中的信息不会丢失，可以长期保存
B.外存的容量比内存大的多，甚至可以说是海量的
C.外存速度慢，内存速度快
D.内存和外存都是由半导体器件构成的
