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[判断题]

基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术,目前可达到300—400微米左右()

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第1题

基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术,目前可达到300—400微米左右。
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第2题

基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术,目前可达到200—300微米左右。
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第3题

基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术,目前可达到200—300微米左右()
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第4题

薄膜式应变计是采用()或真空沉淀技术,在薄的绝缘基片上蒸镀金属电阻薄膜,再加上保护层制成。
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第5题

集成电路可分为两大类:()。

A.绝缘基片

B.半绝缘基片

C.导体基片

D.半导体基片

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第6题

由于单晶硅基片的制造技术和()等的半导体技术有很多的共同点,因此新技术从半导休整上导入是有右能的,最近引人注目的技术之一是()。
由于单晶硅基片的制造技术和()等的半导体技术有很多的共同点,因此新技术从半导休整上导入是有右能的,最近引人注目的技术之一是()。

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第7题

基片的作用,哪些材料可作为薄膜的基片?
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第8题

氮化铝材料是一种理想的基片材料。请分析它作为基片材料优劣之处。
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第9题

集成电路基片成本和基片面积有一定比例关系()
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第10题

氮化铝材料是一种理想的基片材料。请分析它作为基片材料优劣之处。
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第11题

氮化铝材料是一种理想的基片材料。请分析它作为基片材料优劣之处。
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