题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（)。A.刻制图形B.绘
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
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第4题
在制作胶片特性曲线时，若其他参数保持恒定的情况下，显影时间延长，则胶片特性曲线将表现为（)。
A、对比度提高，感光速度提高
B、对比度提高，感光速度降低
C、对比度降低，感光速度提高
D、对比度降低，感光速度降低
第6题
X线使胶片感光形成潜影是利用了X线的A．穿透性B．感光特性C．着色特性D．生物效应E．荧光效应
X线使胶片感光形成潜影是利用了X线的
A．穿透性
B．感光特性
C．着色特性
D．生物效应
E．荧光效应
第7题
透视和摄影都要利用的X线特性是（)。A.穿透性B.荧光作用C.感光作用D.电离作用 E生物效应
透视和摄影都要利用的X线特性是()。
A.穿透性
B.荧光作用
C.感光作用
D.电离作用 E生物效应
