设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_e=1.5千欧，i

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_c=1.5kΩ，i_B=20μA，求该器件的Q点。

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接V_BB=3.2V与电阻R_b=20kΩ串联，而V_CC=6V，R_c=200Ω，求电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

若将图题4.3.1所示输出特性的BJT接成图题4.3.2所示的电路，并设V_CC=12V，R_c=1kΩ，在基极电路中用V_BB=2.2V和R_b=50kΩ串联以代替电流源i_B。求该电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

BJT的输出特性如图题4.3.1所示。(1)求该器件的β值；(2)当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|V_BE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。

在图题4.4.4所示的放大电路中，设信号源内阻R_S=600Ω，BJT的β=50。(1)画出该电路的小信号等效电路；(2)求该电路的输入电阻R_i和输出电阻R_o；(3)当v_s=15mV时，求输出电压v_o。

设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。