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（请给出正确答案）
[判断题]
烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点。()
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金属烤瓷材料的烧结温度应比金属的熔点
A．高
B．相等
C．低
D．高或者相等
E．两者无关系
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第3题
金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是
A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数
B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡
C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点
D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥
E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位
第4题
金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与
金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是
A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数
B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡
C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点
D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥
E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位
第5题
金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保
金属基底冠除气的方法是
A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
第7题
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第8题
用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第9题
自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第10题
在金瓷匹配的影响因素中占主要地位的是A、金属烤瓷烧结温度B、两者的热膨胀系数C、金属熔点D、两者结
在金瓷匹配的影响因素中占主要地位的是
A、金属烤瓷烧结温度
B、两者的热膨胀系数
C、金属熔点
D、两者结合界面的润湿状态
E、金属表面的粗化程度
第11题
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是()。
A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.机械性的结合力起最大的作用
C.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
