为何残半导体器件的主要参数都与温度有关？

霍尔器件是一种采用半导体材料制成的（)器件。

H、S、G都与温度有关，但△H、△S、△G都与温度关系不大。此题为判断题(对，错)。

半导体器件中MOSFET的中文名称为()。

整流所用的半导体器件特性是()。

能满足光纤通信要求的光源器件有半导体激光二极管(LD)和半导体()。

晶体二极管是一种具有____特性的半导体器件。

电力半导体器件IGBT有哪些特点？

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)。

半导体存储器从器件原理的角度可分为______和______。

器件换流只适用于（）

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.