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第1题
CMOS工艺的两个核心是光刻和__________。
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第2题
光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是()和()。
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第3题
电池包装配中最为关键的步骤是busbar的安装,请简要描述在设计和工艺装配上busbar和保护盖的考量()
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第4题
目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
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第5题
说明掺杂工艺在制造CMOS器件中可以用来形成什么区?
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第7题
按集成工艺,集成电路主要有()和CMOS集成。
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第8题
模具表面强化处理工艺中,不改变表面化学成分的方法是()。
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第9题
光刻工艺在集成电路生产中得到广泛应用,它有三要素,分别是()、()、和()。
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第10题
工艺腐蚀监测中工艺冷凝液的分析项目有()。
工艺腐蚀监测中工艺冷凝液的分析项目有()。
(A) 铁离子
(B) 氯离子
(C) PH
(D) 腐蚀速率
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第11题
光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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