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（请给出正确答案）
[主观题]
电路如图题5.2.2所示，设R1=R2=100 kΩ，VDD=5 V, Rd=7.5 kΩ，VT= -1 V, Kp=0.2 mA/V2。试计算图
题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn：
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第1题
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，试证明
第3题
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第4题
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第5题
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设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Rc=1.5kΩ，iB=20μA，求该器件的Q点。
第6题
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在题6.7图(a)的示电路中，设二极管的正向压降为0.6V，输入电压ui的波形如图(b)所示，试画出输出电压u0波形。
第8题
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放大电路如图题4.3.5(a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。
第9题
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电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示，设Rg1=90千欧，Rg2=60千欧，Rd=30千欧，VDD=5 V，VTS=1V，Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第10题
电路如图题4.3.2所示，设R1=R2=100千欧， VDD=5V，Rd=7.5千欧， VTP= -1V，K
P=0.2 mA/V2。试计算图题4.3.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第11题
二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v1(t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出v≇
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二极管电路如图题3.4.8a所示，设输入电压v1(t)波形如图b所示，在0~5ms的时间间隔内，试绘出vo(t)的波形，设二极管是理想的。
