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[单选题]

导带底与价带顶之间的能量区域称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第1题

空带上能量最低的允带称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第2题

禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之()。

A.和

B.差

C.‍积

D.商

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第3题

价电子所在的允带称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第4题

清洁表面的表面能级处在半导体禁带中的()位置。

A.中央

B.靠近导带底

C.靠近价带顶

D.靠近导带底或价带顶

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第5题

下列不是能带的是()

A.价带

B.电带

C.导带

D.禁带

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第6题

载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第7题

载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第8题

以下关于快态能级的位置正确的是()。

A.靠近导带底

B.靠近价带顶

C.禁带中央

D.整个禁带中

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第9题

会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于()。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第10题

硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。

A.施主能级,导带底

B.施主能级,价带顶

C.受主能级,导带底

D.受主能级,价带顶

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