题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅
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A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅
第2题
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅
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