p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）

B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA

C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关

D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维

A.积累

B.耗尽

C.反型

D.p+

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V