题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。
A.正值,强反型
B.正值,导电沟道消失
C.负值,强反型
D.负值,导电沟道消失
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A.正值,强反型
B.正值,导电沟道消失
C.负值,强反型
D.负值,导电沟道消失
第2题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
第6题
A.GCA成立条件是沿沟道方向(电流前进方向)电场强度远小于栅感应电场(半导体表面电场)
B.强反型时可以用GCA,但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后,反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后,可以把二维问题转化为一维
第10题
A.0.5V
B.1V
C.1.5V
D.1.8V
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