题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小

单选题，请选择你认为正确的答案：

ABCD

提交

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装赏学吧APP，拍照搜题省时又省心！

更多“以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时…”相关的问题

第1题

以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

点击查看答案

第2题

对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越;同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越（)。

A.大，大

B.大，小

C.小，大

D.小，小

点击查看答案

第3题

p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是（)的，为（)。

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

点击查看答案

第4题

PN具有电容效应，当外加正向电压时以什么为主。（)

A.扩散电容

B.不确定

C.线性电容

D.势垒电容

点击查看答案

第5题

以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

点击查看答案

第6题

当外加电压为零时，PN结的电容最小。（)

点击查看答案

第7题

在RLC串联正弦交流电路中，当外加交流电源的频率为f时发生谐振，当外加交流电源的频率为2f时，电路的性质为电容性电路。（)

点击查看答案

第8题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

点击查看答案

第9题

以下关于理想MOS结构的说法中，正确的是（)。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

点击查看答案

第10题

以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反赏学吧购买须知被冻结。您可在“赏学吧”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信