题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（)。

A.CF4

B.BCl3

C.Cl2

D.F2

E.CHF3

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第1题

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（)。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

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第2题

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（)的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第3题

（)的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

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第4题

下列物质中是结晶形态二氧化硅的有()。

下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（)。

A.硅土

B.石英

C.磷石英

D.玻璃

E.水晶

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第5题

下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

下列有关ARC工艺的说法正确的是（)。

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蚀除去

C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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第6题

在热传导发生时哪些物质的热导率随温度上升而增大()

在热传导发生时哪些物质的热导率随温度上升而增大（)

A.金属

B.非金属固体

C.液体

D.气体

E.等离子体

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第7题

下列物质中属于二次能源的有()。

下列物质中属于二次能源的有（)。

A.天然气

B.焦炭

C.电力

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第8题

冶炼低硅生铁的必要条件有()。

冶炼低硅生铁的必要条件有（)。

A.控制Si源

B.选择合适的碱度

C.选择有利于高温区下移的技术和操作措施

D.精心操作

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第9题

下列属于两性物质的有（)

A.HS^-

B.H₂0

C.

D.NH₄Ac

E.

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第10题

当刻蚀线条时，刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值称之为（)。

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子

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