题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

以下关于硅二极管的描述正确的是()

A.正向特性有死区和正向导通$

B.$反向特性有反向截止和反向击穿$

C.$导通压降约为0.7V$

D.$硅整流二极管禁止反向击穿

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第1题

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第2题

二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的击穿特性。
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第3题

二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的击穿特性
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第4题

二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的反向击穿特性。()
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第5题

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第6题

二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的击穿特性
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第7题

二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的击穿特性。
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第8题

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第9题

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硅二极管正常工作时正向电压降为( )V,锗二极管正向电压降为( )V。

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第10题

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