题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

以下属于硅掺杂设备是（）

A.曝光机

B.热扩散炉

C.离子注入机

D.VD

多选题，请选择你认为正确的答案：

ABCD

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BC

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第1题

硅是半导体产业中最常用的半导体材料，以下（)选项属于硅材料的优点。

A.易于进行腐蚀加工

B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO₂

C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料

D.易于进行n型和p型掺杂

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第2题

题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是：。

A.温度

B.厚度

C.硅晶向

D.掺杂

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第3题

题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是：。

A.温度

B.厚度

C.硅晶向

D.掺杂

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第4题

题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是：。

A.温度

B.厚度

C.硅晶向

D.掺杂

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第5题

题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是：。

A.温度

B.厚度

C.硅晶向

D.掺杂

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第6题

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。

A.为电池的窗口层；

B.具有较高的电导率；

C.具有较宽的光学带隙；

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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第7题

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。

A.为电池的窗口层；

B.具有较高的电导率；

C.具有较宽的光学带隙；

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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第8题

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。

A.为电池的窗口层；

B.具有较高的电导率；

C.具有较宽的光学带隙；

D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。

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