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[判断题]

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。（)

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第1题

IGBT是功率MOS和双极性晶体管组成的复合器件。（)

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第2题

高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双极型晶体管（IGBT)适用的频率更高。（)

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第3题

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（)

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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第4题

MOS场效应管是___控制的器件，双极型晶体管是___控制的器件。

A.电压，电压

B.电压，电流

C.电流，电压

D.电流，电流

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第5题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第6题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第7题

在电学性质上，MOS管的源和漏是可以相互交换的，双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。（)

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第8题

全控型器件有()等器件。

全控型器件有（)等器件。

A . 可关断晶闸管

B . 电力晶闸管

C . 功率场效应管

D . 绝缘栅双极型晶体管

E . 大功率整流二极管

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第9题

电力晶体管（GTR)是一种双极型低功率晶体管，属于电流控制型元件。（)

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第10题

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（)

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