题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。
A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
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A.在PN结上的正向电压减小
B.在PN结上的反向电压增加
C.使空间电荷区势垒宽度增加
D.使载流子从半导体流入空间电荷区
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第3题
下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第8题
双极晶体管效应是通过改变（)。
A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流
B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
C.反偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流
D.反偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
