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[多选题]

输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成,当载流子的迁移率和扩散系数确定以后,漂移电流取决于()。

A.载流子浓度

B.电场强度

C.载流子浓度梯度

D.电荷密度

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第1题

二极管加正向电压时,其正向电流是由()

A.多数载流子扩散形成

B.多数载流子漂移形成

C.少数载流子漂移形成

D.少数载流子扩散形成

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第2题

空穴和电子一样,都是载流子。()
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第3题

N型半导体中多数载流子是电子,少数载流子是空穴。()
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第4题

在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第5题

半导体中有()和空穴两种载流子。

A.原子

B.离子

C.电子

D.中子

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第6题

半导体中运载电荷的载流子是电子和空穴。()
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第7题

为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。

A.漏区和源区的电压降可以忽略不计

B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C.在沟道内载流子的迁移率为常数

D.其他选项都正确

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第8题

晶体管中电子和空穴两种载流子都参与导电。()
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第9题

电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程,就是一个()从价带到导带的量子跃迁过程。

A.电子

B.空穴

C.载流子

D.离子

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第10题

按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、双极型、混合型三种。()
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