题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（)扩散来代替磷扩散。

A.铟

B.硼

C.镓

D.砷

单选题，请选择你认为正确的答案：

ABCD

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第1题

第一个晶体管采用的半导体材料是（)。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第2题

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（)。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第3题

半导体掺入以下（)元素后会产生许多缺少电子的空穴。

A.A. 锑

B.B. 磷

C.C. 砷

D.D. 硼

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第4题

下列扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

下列扩散杂质源中，（)不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼

B.锡

C.锑

D.磷

E.砷

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第5题

在晶圆里掺入砷、硼、磷等杂质使其具有导电性，这个过程称之为（)

A.光刻

B.掺杂

C.贴片

D.键合

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第6题

如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（)。

A.扩散剂总量

B.压强

C.温度

D.浓度

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第7题

造成发射区重掺杂效应的原因有（)。

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

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第8题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第9题

肾小管中葡萄糖重吸收回毛细血管依靠协助扩散来完成。（)

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第10题

世界上第一块集成电路是在半导体材料（)上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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