从发射区发射到基区的电子有很大一部分在基区复合，只有很少一部分到达集电区。（)

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低

B.到达基区的电子很容易穿过集电结

C.到达基区的空穴很容易穿过发射结

D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高

A.当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区

B.扩散到基区的电子全被空穴复合掉了

C.外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差

D.以上说法都错

A . 集电区掺杂浓度较大

B . 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

C . 基区非常薄

D . 集电结的面积比发射结的面积大

E . 集电区掺杂浓度较小

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度