半导体电阻应变片在测量某一构件应变时，其电阻的相对变化主要是由()引起。

A.A.贴片位置的温度变化

B.B.电阻丝几何尺寸的变化

C.C.电阻丝材料的电阻率变化

D.D.外接导线的变化

A.A.形变

B.B.电阻率的变化

C.C.弹性模量的变化

D.D.泊松比的变化

A.相对电阻变化率

B.相对长度变化率

C.相对电容变化率

D.相对温度变化率

A.A.应变片电阻值的大小

B.B.应变片金属丝的截面积的相对变化

C.C.单位应变引起的应变片相对电阻值变化

D.D.应变片金属丝电阻值的相对变化

A.柔软元件

B.刚性元件

C.塑性元件

D.弹性元件

A.A.半导体应变片的灵敏度高

B.B.电阻应变片的灵敏高

C.C.二者相等

D.D.不能确定

A.丝式应变片

B.箔式应变片

C.薄膜应变片

D.半导体应变片

A.A.应变片电阻丝的电阻变化与应变值之比

B.B.应变片输出电压与应变值之比

C.C.应变片电阻丝的电阻变化率与被测件的应变值之比