突触后膜产生兴奋性突触后电位主要由于（）

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了()的通透性。

A.Ca2+

B.Cl-

C.K+

D.Na+和K+，尤其是Na+

E.Cl-和K+，尤其是Cl-

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致？

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

A.突触前末梢递质释放增多

B.需由中间神经元中介

C.突触后膜K+电导降低

D.突触后膜Na+电导增加

A.钠离子内流

B.氯离子内流

C.钙离子内流

D.钾离子外流

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括

A、兴奋性突触后电位和局部电位

B、抑制性突触后电位和局部电位

C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

A．突触前膜产生动作电位

B．突触后膜产生动作电位

C．突触前膜出现复极化

D．突触后膜出现复极化

E．突触后膜出现局部去极化

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了何种离子的通透性()

A．K+、Na+、Cl-，尤其是K+

B．K+、Na+、Cl-，尤其是C1-

C．K+、Na+、C1-，尤其是Na+

D．K+、C1-，尤其是C1-